基本情况：

姓名：石艳梅

学历学位：博士研究生

职称：讲师

研究方向：功率半导体器件

论文：

[1]石艳梅，刘继芝，姚素英，丁燕红，具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构.物理学报 2014，63(10):107302-1-107302-8(SCI:000338741800051)

[2]石艳梅，刘继芝，姚素英，丁燕红，张卫华，代红丽，具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构. 物理学报2014，63(23):237305-1-237305-8(SCI:000346904700037)

[3]石艳梅，刘继芝，姚素英，丁燕红，基于衬底偏压的PSOI LDMOS击穿特性研究.电力电子技术2013，47(12): 5-7

[4]石艳梅，刘继芝，姚素英，丁燕红，张卫华，槽栅槽源SOI LDMOS器件结构设计与仿真. 南开大学学报 2015，48(3): 49-53